SI6954ADQ-T1-GE3參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：3.1A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：53 毫歐 @ 3.4A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：16nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：830mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：8-TSSOP
