SI6469DQ-T1-GE3參數(shù)：MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：8V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：-不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：28 毫歐 @ 6A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：450mV @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：40nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：-安裝類型：表面貼裝封裝：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應商器件封裝：8-TSSOP
