SI5905BDC-T1-GE3參數(shù)：MOSFET DUAL P-CH D-S 8V 1206-8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 P 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：8V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：4A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：80 毫歐 @ 3.3A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 8V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：350pF @ 4V功率 - 最大值：3.1W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝：1206-8 ChipFET?
