SI5509DC-T1-GE3
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SI5509DC-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類(lèi)型：N 和 P 溝道
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：6.1A，4.8A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：52 毫歐 @ 5A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：6.6nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：455pF @ 10V
功率 - 最大值：4.5W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝：1206-8 ChipFET?