SI5461EDC-T1-E3參數(shù)：MOSFET P-CH D-S 20V CHIPFET
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：4.5A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：45 毫歐 @ 5A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：450mV @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：20nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：1.3W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SMD，扁平引線供應商器件封裝：1206-8 ChipFET?
