SI4276DY-T1-E3參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 8A SO8
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列標準包裝：2,500系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：8A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：15.3 毫歐 @ 9.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：26nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1000pF @ 15V功率 - 最大值：3.6W，2.8W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝：8-SOIC N
