SI4190ADY-T1-GE3參數(shù)：MOSF N CH 100V 18.4A SO8
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：2,500系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：18.4A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：8.8 毫歐 @ 15A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：67nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1970pF @ 50V功率 - 最大值：6W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝：8-SO
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