SI4134DY-T1-GE3參數(shù):MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝:2,500系列:TrenchFET®包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標準漏源極電壓 (Vdss):30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):14A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 10A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):23nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):846pF @ 15V功率 - 最大值:5W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)供應商器件封裝:8-SOIC N