SI4090DY-T1-GE3參數：MOSFET N-CH 100V D-S 8SOIC
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：2,500系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：19.7A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：10 毫歐 @ 15A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：69nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2410pF @ 50V功率 - 最大值：7.8W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝：8-SO
