SI3459BDV-T1-GE3
PDF資料下載

SI3459BDV-T1-GE3參數(shù)：MOSFET P-CH D-S 60V 6-TSOP

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：2.9A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：216 毫歐 @ 2.2A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：350pF @ 30V
功率 - 最大值：3.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：6-TSOP