SI3456BDV-T1-E3參數(shù):MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:TrenchFET®包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):4.5A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 6A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):13nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-功率 - 最大值:1.1W安裝類型:表面貼裝封裝:6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP