SI3430DV-T1-E3參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1.8A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：170 毫歐 @ 2.4A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：6.6nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：1.14W安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：6-TSOP
