SI2337DS-T1-E3參數(shù):MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:TrenchFET®包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):80V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):2.2A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):270 毫歐 @ 1.2A,10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):17nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):500pF @ 40V功率 - 最大值:2.5W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236)