SI2325DS-T1-E3參數(shù):MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝:3,000系列:TrenchFET®包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):150V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):530mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):1.2 歐姆 @ 500mA,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):12nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):510pF @ 25V功率 - 最大值:750mW安裝類型:表面貼裝封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供應商器件封裝:SOT-23-3(TO-236)