SI2319DS-T1-E3參數(shù):MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
類別:分立半導體產品-FET - 單標準包裝:3,000系列:TrenchFET®包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):40V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):2.3A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):82 毫歐 @ 3A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):17nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):470pF @ 20V功率 - 最大值:750mW安裝類型:表面貼裝封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供應商器件封裝:SOT-23-3(TO-236)