SI2309CDS-T1-GE3參數(shù)：MOSFET P-CH 60V SOT23-3
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1.6A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：345 毫歐 @ 1.25A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：4.1nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：210pF @ 30V功率 - 最大值：1.7W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
