SI2301BDS-T1-E3
PDF資料下載

SI2301BDS-T1-E3參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：2.2A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：100 毫歐 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：10nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：375pF @ 6V
功率 - 最大值：700mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）