SI1958DH-T1-E3參數(shù)：MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1.3A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：205 毫歐 @ 1.3A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.6V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：3.8nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：105pF @ 10V功率 - 最大值：740mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供應商器件封裝：SC-70-6
