SI1926DL-T1-E3參數：MOSF N CH DUAL D-S 60V SC-70-6
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：370mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.4 歐姆 @ 340mA，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.4nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：18.5pF @ 30V功率 - 最大值：510mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供應商器件封裝：SC-70-6
