<del id="wwqiq"></del>
<fieldset id="wwqiq"></fieldset>
SI1902DL-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH G-S 20V DUAL SC-70-6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：660mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：385 毫歐 @ 660mA， 4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.2nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：270mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供應(yīng)商器件封裝：SC-70-6
