SI1499DH-T1-E3參數(shù):MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單特色產(chǎn)品: MOSFETsDesignedforOn-ResistanceRatingsat1.2V標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:TrenchFET®包裝:帶卷(TR)FET類(lèi)型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss):8V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):1.6A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):78毫歐@2A,4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):800mV@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):16nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):650pF@4V功率-最大值:2.78W安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363供應(yīng)商器件封裝:SC-70-6