SI1480DH-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CHAN 100V D-S SOT-363
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：2.6A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：200 毫歐 @ 1.9A， 10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：5nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：130pF @ 50V功率 - 最大值：2.8W安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供應(yīng)商器件封裝：SOT-363
