SI1433DH-T1-E3參數(shù):MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
類別:分立半導體產品-FET - 單標準包裝:3,000系列:TrenchFET®包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):1.9A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 2.2A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 100µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):5nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-功率 - 最大值:950mW安裝類型:表面貼裝封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363供應商器件封裝:SC-70-6