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SI1307EDL-T1-E3參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 850MA SOT323-3
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：12V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：850mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：290 毫歐 @ 1A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：450mV @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：5nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：290mW安裝類型：表面貼裝封裝：SC-70，SOT-323供應(yīng)商器件封裝：SC-70-3
