SI1305DL-T1-E3參數(shù):MOSFET P-CH 8V 860MA SOT323-3
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:TrenchFET®包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):8V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):860mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):280 毫歐 @ 1A,4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):4nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-功率 - 最大值:290mW安裝類型:表面貼裝封裝:SC-70,SOT-323供應(yīng)商器件封裝:SC-70-3