SI1050X-T1-E3參數(shù)：MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動漏源極電壓 (Vdss)：8V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：-不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：86 毫歐 @ 1.34A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11.6nC @ 5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：585pF @ 4V功率 - 最大值：236mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-563，SOT-666供應(yīng)商器件封裝：SC-89-6
