SI1032X-T1-E3參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：200mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：5 歐姆 @ 200mA，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：0.75nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：300mW安裝類型：表面貼裝封裝：SC-89，SOT-490供應商器件封裝：SC-89-3
