SI1029X-T1-E3參數(shù)：MOSFET N/P-CH COMPL 60V SOT563F
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：N 和 P 溝道FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：305mA，190mA不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：3 歐姆 @ 200mA，4.5V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：0.75nC @ 4.5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：30pF @ 25V功率 - 最大值：250mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-563，SOT-666供應(yīng)商器件封裝：SC-89-6
