SI1026X-T1-E3參數(shù):MOSFET 2N-CH 60V 305MA SOT563F
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列標準包裝:3,000系列:-包裝:帶卷 (TR)FET 類型:2 個 N 溝道(雙)FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):305mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 500mA,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):0.6nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):30pF @ 25V功率 - 最大值:250mW安裝類型:表面貼裝封裝:SOT-563,SOT-666供應(yīng)商器件封裝:SC-89-6