SI1025X-T1-GE3參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 190MA SC-89
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 P 溝道（雙）FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：190mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：4 歐姆 @ 500mA，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.7nC @ 15V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：23pF @ 25V功率 - 最大值：250mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-563，SOT-666供應(yīng)商器件封裝：SC-89-6
