SI1011X-T1-GE3參數(shù)：MOSFET P-CHAN 12V D-S SC-89
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平柵極，1.2V 驅(qū)動漏源極電壓 (Vdss)：12V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：480mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：640 毫歐 @ 400mA， 4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：4nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：62pF @ 6V功率 - 最大值：190mW安裝類型：表面貼裝封裝：SC-89，SOT-490供應商器件封裝：SC-89-3
