SGW10N60RUFDTM
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SGW10N60RUFDTM參數(shù)：IGBT W/DIODE 600V 10A D2PAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標(biāo)準(zhǔn)包裝：800
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：2.8V @ 15V，10A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：16A
Current - Collector Pulsed (Icm)：30A
功率 - 最大值：75W
Switching Energy：356µJ
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：30nC
Td (on/off) A 25°C：15ns/36ns
Test Condition：300V, 10A, 20 歐姆, 15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：42ns
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：D²PAK