SGD02N120參數(shù):IGBT NPT 1200V 6.2A 62W TO252-3
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:-包裝:帶卷 (TR)IGBT 類(lèi)型:NPT電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on):3.6V @ 15V,2A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):6.2ACurrent - Collector Pulsed (Icm):9.6A功率 - 最大值:62WSwitching Energy:220µJ輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)Gate Charge:11nCTd (on/off) A 25°C:23ns/260nsTest Condition:800V, 2A, 91 歐姆, 15V反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-封裝:TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn)+接片),SC-63安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-TO252-3