SGD02N120參數:IGBT NPT 1200V 6.2A 62W TO252-3
類別:分立半導體產品-IGBT - 單路標準包裝:2,500系列:-包裝:帶卷 (TR)IGBT 類型:NPT電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on):3.6V @ 15V,2A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):6.2ACurrent - Collector Pulsed (Icm):9.6A功率 - 最大值:62WSwitching Energy:220µJ輸入類型:標準Gate Charge:11nCTd (on/off) A 25°C:23ns/260nsTest Condition:800V, 2A, 91 歐姆, 15V反向恢復時間 (trr):-封裝:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TO252-3