SGB8206ANSL3G參數(shù):IGBT N-CH 20A 350V D2PAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路標(biāo)準(zhǔn)包裝:50系列:-包裝:管件IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):390V不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on):1.9V @ 4.5V,20A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):20ACurrent - Collector Pulsed (Icm):-功率 - 最大值:150WSwitching Energy:-輸入類型:邏輯Gate Charge:-Td (on/off) A 25°C:-Test Condition:-反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK