SGB07N120參數(shù):IGBT 1200V 8A 125W TO263-3-2
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000系列:-包裝:帶卷 (TR)IGBT 類型:NPT電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on):3.6V @ 15V,8A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):16.5ACurrent - Collector Pulsed (Icm):27A功率 - 最大值:125WSwitching Energy:1mJ輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)Gate Charge:70nCTd (on/off) A 25°C:27ns/440nsTest Condition:800V, 8A, 47 歐姆, 15V反向恢復(fù)時間 (trr):-封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3-2