RZR040P01TL參數(shù):MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖: RxR0SeriesTSMT-3標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):12V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):4A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):30毫歐@4A,4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):1V@1mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):30nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):2350pF@6V功率-最大值:1W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝:TSMT3