RZE002P02TL
PDF資料下載

RZE002P02TL參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： MOSFETs
產(chǎn)品目錄繪圖： RUESeriesEMT-3
特色產(chǎn)品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平柵極，1.2V驅(qū)動(dòng)
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：200mA
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：1.2歐姆@200mA，4.5V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@100µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：1.4nC@4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：115pF@10V
功率-最大值：150mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-75，SOT-416
供應(yīng)商器件封裝：EMT3