RUM003N02T2L參數(shù):MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊: MOSFETs標準包裝:8,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):300mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):1歐姆@300mA,4V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):-不同Vds時的輸入電容(Ciss):25pF@10V功率-最大值:150mW安裝類型:表面貼裝封裝:SOT-723供應商器件封裝:VMT3