RUE002N02TL參數(shù)：MOSFET N-CH 20V .2A EMT3
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖： RUESeriesEMT-3特色產(chǎn)品： ECOMOS?SeriesMOSFETs標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平柵極，1.2V驅(qū)動漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：200mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.2歐姆@200mA，2.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時的輸入電容(Ciss)：25pF@10V功率-最大值：150mW安裝類型：表面貼裝封裝：SC-75，SOT-416供應(yīng)商器件封裝：EMT3
