RUE002N02TL參數(shù):MOSFET N-CH 20V .2A EMT3
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖: RUESeriesEMT-3特色產(chǎn)品: ECOMOS?SeriesMOSFETs標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平柵極,1.2V驅(qū)動(dòng)漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):200mA不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):1.2歐姆@200mA,2.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):1V@1mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):-不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):25pF@10V功率-最大值:150mW安裝類型:表面貼裝封裝:SC-75,SOT-416供應(yīng)商器件封裝:EMT3