RT1A040ZPTR參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 4A TSST8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖： MOSFETTSST-8特色產(chǎn)品： ECOMOS?SeriesMOSFETs標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：12V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：30毫歐@4A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：30nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2350pF@6V功率-最大值：1.25W安裝類型：表面貼裝封裝：8-TSST供應(yīng)商器件封裝：TSST8
