RFD3055LE參數(shù):MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing SMPSPowerSwitch標(biāo)準(zhǔn)包裝:75系列:-包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):60V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):11A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):107毫歐@8A,5V不同Id時的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):11.3nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):350pF@25V功率-最大值:38W安裝類型:通孔封裝:TO-251-3短引線,IPak,TO-251AA供應(yīng)商器件封裝:I-Pak