QS8M13TCR參數：MOSFET N/P-CH 30V 6A TSMT8
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：N 和 P 溝道FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：6A，5A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：28 毫歐 @ 6A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：5.5nC @ 5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：390pF @ 10V功率 - 最大值：1.5W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SMD，扁平引線供應商器件封裝：TSMT8
