QS8M12TCR
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QS8M12TCR參數(shù)：MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：N 和 P 溝道
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：4A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：42 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：3.4nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：250pF @ 10V
功率 - 最大值：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝：TSMT8