QS8K2TR參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：3.5A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：54 毫歐 @ 3.5A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：4.6nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：285pF @ 10V功率 - 最大值：1.25W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝：TSMT8
