QS8J1TR參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品目錄繪圖： MOSFETTSMT-8特色產(chǎn)品： ECOMOS?SeriesMOSFETs標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個P溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：12V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4.5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：29毫歐@4.5A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：31nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2450pF@6V功率-最大值：1.25W安裝類型：表面貼裝封裝：TSMT8供應(yīng)商器件封裝：TSMT8
