PHKD6N02LT,518參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 10.9A SOT96-1
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標準包裝：2,500系列：TrenchMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：10.9A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 3A，5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：15.3nC @ 5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：950pF @ 10V功率 - 最大值：4.17W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SO
