PHKD6N02LT,518
PDF資料下載

PHKD6N02LT,518參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 10.9A SOT96-1

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：TrenchMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類(lèi)型：2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：10.9A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 3A，5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：15.3nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：950pF @ 10V
功率 - 最大值：4.17W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SO