PHK04P02T,518參數(shù)：MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：2,500系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：16V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：4.66A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：120 毫歐 @ 1A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：600mV @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：7.2nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：528pF @ 12.8V功率 - 最大值：5W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SO
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